在 10 月 19 日的第三季度财报公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 业务中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的额外订单；目前所有的 EUV 客户都已提交 High-NA 订单。”High-NA EUV 设备是将集光能力的镜头数值孔径（NA）从 0.33 提高到 0.55 的设备。比现有的 EUV 设备处理更精细的半导体电路。业界大多数人认为，High-NA 设备对 2nm 工艺至关重要。

另据 etnews 报道，三星电子和 SK 海力士向光刻机巨头 ASML 订购了下一代半导体设备 High-NA 极紫外光（EUV）曝光设备。继台积电和英特尔之后，韩国半导体制造商也在准备引进能够实现 2nm 工艺的设备。对最先进工艺的竞争预计将加剧。

IT之家了解到，High-NA EUV 设备比目前使用的 EUV 设备更昂贵，但它可以一次性实现超精细工艺（单次图案化），这可以极大地提高生产力。就三星电子而言，有必要在 3nm 量产后抢先确保 High-NA EUV 设备用于 2nm 量产。现有的 EUV 设备估计需要 2000 亿韩元（约 10.08 亿元人民币）至 3000 亿韩元（约 15.12 亿元人民币），而 High-NA EUV 设备估计需要花费 5000 亿韩元（约 25.2 亿元人民币）。