科研团队将其成为 BBCube，最大的亮点灾区去除了传统内存的逐层焊接晶体布局。

科研团队在 2023 年 6 月举行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大会上得到了同行论证，不仅提出了这一新概念，还详细描述了生产这种存储器的技术流程。

IT之家注：高带宽存储器（HBM）是三星电子、超微半导体和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备等。

生产 HBM 内存的现有方法限制了其功能，堆叠中的每一层（DRAM 芯片）不能制造得比特定规格更薄，并且层之间的球接触（ball contacts）数量不能增加超过特定值，否则存在机械损坏和短路的风险。

科研团队提议在 DRAM 封装过程中去除球接触，可以让芯片变得更薄，降低每一层的机械应力，缩短 TSV 的过孔线。

研究团队负责人 Takayuki Ohba 教授表示：“BBCube 3D 有潜力实现每秒 1.6 TB 的吞吐量，比 DDR5 快 30 倍，比 HBM2E 快四倍。”

IT之家在此附上详细论文地址，感兴趣的用户可以深入阅读。